Memoria Nex Kingston Ddr4 de 8 GB, 2666 MHz

Descripción

DESCRIPCIÓN
El KVR26S19S8/8 de Valueram es un módulo de memoria SDRAM DDR4-2666 CL19 (DRAM síncrona) de 1 G x 64 bits (8 GB), 1 Rx8, sin ECC, basado en ocho componentes FBGA de 1 G x 8 bits. El SPD está programado para un tiempo de latencia DDR4-2666 estándar de JEDEC de 19-19-19 a 1,2 V. Este módulo DIMM de 260 pines utiliza dedos de contacto chapados en oro. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:
CARACTERÍSTICAS
• Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típica
• VDDQ = 1,2 V típica
• VPP = 2,5 V típica
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminación interna nominal y dinámica (ODT) para
señales de datos, estroboscopio y máscara
• Actualización automática de bajo consumo de energía (LPASR)
• Inversión del bus de datos (DBI) para el bus de datos
• Generación y calibración del VREFDQ en la matriz
• Clasificación única
• Detección de presencia en serie (SPD) EEPROM
integrada (SPD) • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
• Se corrigió el corte de ráfaga (BC) de 4 y la longitud de ráfaga (BL) de 8
conjunto de registro de modo continuo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionable en tiempo real (OTF)
• Topología de sobrevuelo
• Bus de comandos y direcciones de control terminado
• PCB: 30 mm (1,18 de altura)
• Cumple con RoHS y no contiene halógenos
ESPECIFICACIONES
CL (IDD): 19 ciclos
Tiempo de ciclo de línea (TRCMin): 45,75 ns (min.)
Tiempo de actualización, actualización o comando (TRFCMin): 350 ns (min.)
Tiempo de actividad de la línea (TRASmin): 32 ns (min.)
Potencia máxima de funcionamiento: TDB W*
Clasificación UL: 94 V - 0
Temperatura de funcionamiento: de 0 °C a +85 °C
Temperatura de almacenamiento: de -55 °C a +100 °C